 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,7 A TO-220 950 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-220 Liczba styków = 3 |
|
od PLN 5,061*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 29,04*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8 A TO-247AC 800 V 0.391 Ω (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = E Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.391 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = ... |
|
od PLN 6,06*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 66,42*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,913*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,54*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,8 A PowerPAK 1212-8 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Ro... |
|
PLN 1,59*
za szt. |
|
|
|
|
PLN 2,645*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,36*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB80N06S2H5ATMA2 |
PLN 5,07*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,84*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,8 A TO-252 650 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Lic... |
Infineon IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
od PLN 1,082*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,96*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8 A TSMT-8 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TSMT-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RQ7G080BGTCR |
od PLN 1,35*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STB80NF55-06T4 |
PLN 7,018*
za szt. |
|
|
