Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 0.45 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2282849
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIHD11N80AE-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V
Seria = E Series
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.45 Ω
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V
Materiał tranzystora = Si
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
850 V
Typ opakowania:
DPAK (TO-252)
Seria:
E Series
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.45 Ω
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
4V
Liczba elementów na układ:
1
Materiał tranzystora:
Si
Dalsze słowa kluczowe: 2282849, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHD11N80AET1GE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6,488*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 10,837*
PLN 13,33
za szt.
od 10 szt.
PLN 10,747*
PLN 13,219
za szt.
od 25 szt.
PLN 10,497*
PLN 12,911
za szt.
od 50 szt.
PLN 9,416*
PLN 11,582
za szt.
od 100 szt.
PLN 9,206*
PLN 11,323
za szt.
od 125 szt.
PLN 8,329*
PLN 10,245
za szt.
od 250 szt.
PLN 7,839*
PLN 9,642
za szt.
od 500 szt.
PLN 7,348*
PLN 9,038
za szt.
od 15000 szt.
PLN 6,488*
PLN 7,98
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.