| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2282849 Nr producenta: SIHD11N80AE-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.45 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V Materiał tranzystora = Si Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 850 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | E Series | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.45 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2282849, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHD11N80AET1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |