MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 989/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 50ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W...

IXYS

IXTP120N075T2

od PLN 8,09*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 8,8 A SC-70-6L 100 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SC-70-6L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerze...

Vishay

SIA112LDJ-T1-GE3

od PLN 1,52*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 8,5 A DPAK (TO-252) 700 V SMD 0.6 Ω (1 Oferta)

Seria Infineon 700V Cool MOS™ P7 SUPER JUJNOWANY MOSFET rozwiązuje problem niskiego poboru mocy na rynku SMPS, takim jak ładowarki do telefonów komórkowych lub adaptery do notebooków, oferując pods...

Infineon

IPD70R600P7SAUMA1

od PLN 1,612*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 340A; 935W; TO268; 75ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 75ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 935W P...

IXYS

IXFT340N075T2

od PLN 31,78*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 80 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 300 W 6,5 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...

ST Microelectronics

STB80NF55-06T4

od PLN 6 714,86*
za 1 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 78A; 134W; TO220 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W...

Alpha & Omega Semiconductor

AOT470

od PLN 3,00*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 80 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD 0.049 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Infineon

IPB049N08N5ATMA1

od PLN 6,007*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 50ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W P...

IXYS

IXTA120N075T2

od PLN 8,77*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 8,9 A PowerPAIR 3 x 3S 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAIR 3 x 3S Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Vishay

SIZ260DT-T1-GE3

od PLN 2,603*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 50A; 135W; DPAK (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Polaryzacja: unipolarny...

onsemi

FDD16AN08A0

od PLN 4,25*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 8,5 A IPAK SL (TO-251 SL) 700 V 600 m.Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

IPS70R600P7SAKMA1

od PLN 1,95*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 400A; 1000W; TO247-3; 77ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 77ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW ...

IXYS

IXFH400N075T2

od PLN 41,37*
za szt.