 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Taiwan Semiconductor TSM70N600CI C0G |
od PLN 6,73*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,4 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ... |
Infineon IPLK70R600P7ATMA1 |
od PLN 3,366*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8 A TO-252 800 V SMD 0.6 Ω (1 Oferta) Superzłącze Infineon serii MOSFET CoolMOS P7 800V to idealne rozwiązanie do zastosowań SMPS o niskim zapotrzebowaniu na energię, w pełni zaspokajające potrzeby rynku w zakresie wydajności, łatwości... |
|
od PLN 3,993*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,01*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPN70R600P7SATMA1 |
od PLN 5,28*
za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 16,55*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPSA70R950CEAKMA1 |
od PLN 87,0555*
za 75 szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,46*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,4 A TO-220 FP 600 V 800 MO (1 Oferta) Infineon CoolMOS™ CE jest odpowiedni do twardych i miękkich zastosowań przełączania, a jako nowoczesny superwęzeł zapewnia niskie straty przewodzenia i przełączania, poprawiając wydajność i ostatec... |
Infineon IPAN60R800CEXKSA1 |
od PLN 2,01*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8 A TSMT-8 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TSMT-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RQ7G080BGTCR |
od PLN 1,142*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 76,45*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPAN70R600P7SXKSA1 |
od PLN 1,882*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 38 892,76*
za 4 000 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,7 A TO-220 950 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-220 Liczba styków = 3 |
|
od PLN 2 830,67*
za 500 szt. |
|
|
|
Infineon IPD70R600P7SAUMA1 |
od PLN 5,905*
za 5 szt. |
|
|
