| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2352665 Nr producenta: QH8KB6TCR EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = QH8KB6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0177 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V Liczba elementów na układ = 2 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | TSMT-8 | Seria: | QH8KB6 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0177 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2352665, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, QH8KB6TCR |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |