Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.391 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2104979
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIHD11N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma typ pakietu DPAK (TO-252) z pojedynczą konfiguracją.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (CISS) Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia Bardzo niski ładunek bramki (Qg) Energia lawinowy (UIS) Zintegrowana dioda Zenera ochrona ESD
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
800 V
Typ opakowania:
DPAK (TO-252)
Seria:
E
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.391 Ω
Maksymalne napięcie progowe VGS:
2 → 4V
Liczba elementów na układ:
1
Dalsze słowa kluczowe: 2104979, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHD11N80AEGE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3,896*
  
Cena obowiązuje od 37 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 8,514*
PLN 10,472
za szt.
od 25 szt.
PLN 8,274*
PLN 10,177
za szt.
od 50 szt.
PLN 7,666*
PLN 9,429
za szt.
od 100 szt.
PLN 7,516*
PLN 9,245
za szt.
od 125 szt.
PLN 5,913*
PLN 7,273
za szt.
od 250 szt.
PLN 4,755*
PLN 5,849
za szt.
od 500 szt.
PLN 4,436*
PLN 5,456
za szt.
od 37500 szt.
PLN 3,896*
PLN 4,792
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.