| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2104979 Nr producenta: SIHD11N80AE-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma typ pakietu DPAK (TO-252) z pojedynczą konfiguracją.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (CISS) Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia Bardzo niski ładunek bramki (Qg) Energia lawinowy (UIS) Zintegrowana dioda Zenera ochrona ESD Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | E | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.391 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2 → 4V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2104979, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHD11N80AEGE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |