MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 580/1 530)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 38A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6015LVFRG

od PLN 89,81*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 125 A PowerFLAT 5x6 100 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 125 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerFLAT 5x6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozs...

ST Microelectronics

STL120N10F8

od PLN 5,00*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8030LVRG

od PLN 93,06*
za szt.

Infineon BSC0996NS tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

BSC0996NSATMA1

od PLN 5 271,60*
za 5 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 47A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010LVFRG

od PLN 77,82*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 127 A TO-220AB 100 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 127 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRFB4310ZPBF

od PLN 9,752*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolarny; 1kV; 30A; Idm: 110A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 245mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...

IXYS

MMIX1F44N100Q3

od PLN 171,36*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 0,23 oma (1 Oferta)

Tranzystory MOSFET STMicroelectronics N-Channel MDMesh M6 Power MOSFET zawierają najnowsze osiągnięcia w zakresie dobrze znanej i skonsolidowanej rodziny tranzystorów MOSFET MDMesh. Urządzenia MDMe...

ST Microelectronics

STD18N60M6

od PLN 5,087*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6040BVRG

od PLN 425,06*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 125 A SOT669 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 125 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Nexperia

BUK9Y7R0-60ELX

od PLN 9,113*
za szt.

Infineon IPL60R185C7 tranzystor 650 V (1 Oferta)

Infineon

IPL60R185C7AUMA1

od PLN 5,584*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6030BVRG

od PLN 49,71*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 127 A TO-247 1200 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 127 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

IMW120R020M1HXKSA1

od PLN 76,816*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 17,3 A TO-247-4 1200 V 0,224 oma (2 ofert)

Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 17.3 amperami i 1200 woltami. Może być stosowany w zasilaczu bezprzerwającym, przetworniku DC/DC, przemienniku mocy.Odpływ o pojemności...

onsemi

NTH4L160N120SC1

od PLN 18,727*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.25 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...

onsemi

NTD250N65S3H

od PLN 7,609*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 571 572 573 574 575 576 577 578 579 580 581 .. 1530 Dalej

MOSFET (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

"MOSFET"