MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 573/1 530)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IPP120N08S4-03 tranzystor 80 V (1 Oferta)

Infineon

IPP120N08S403AKSA1

od PLN 9,85*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 300W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M25BVRG

od PLN 39,02*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 122 A HSOF-8 150 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 122 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

IPT063N15N5ATMA1

od PLN 10,547*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 900V; 10,5A; Idm: 36A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 10,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,66Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszan...

IXYS

IXFR18N90P

od PLN 37,75*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A TDSON 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1

od PLN 4,113*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12060LVRG

od PLN 80,89*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 127 A DFN 40 V SMD 89 W 2,9 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 127 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...

onsemi

NVMFD5C446NT1G

od PLN 7,436*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 900V; 52A; 1250W; 300ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...

IXYS

IXFB52N90P

od PLN 103,72*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A TO-220AB 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerze...

ROHM Semiconductor

RX3P07CBHC16

od PLN 13,041*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M19SVFRG

od PLN 57,16*
za szt.

Infineon BSC030N03LS G tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

BSC030N03LSGATMA1

od PLN 1,688*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 16A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12080LVRG

od PLN 98,28*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 120 A TO-220 40 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRFB7440PBF

od PLN 3,92*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R6SVFRG

od PLN 79,01*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Ł...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R5BVRG

od PLN 142,14*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 571 572 573 574 575 576 577 578 579 580 581 .. 1530 Dalej

MOSFET (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

"MOSFET"