Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M09LVFRG
od PLN 94,60*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSP125 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
BSP125H6433XTMA1
od PLN 5,015*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45BVFRG
od PLN 48,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 125 A PowerFLAT 5x6 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 125 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerFLAT 5x6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozs...
ST Microelectronics
STL120N10F8
od PLN 6,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polaryzac...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1001RSVRG
od PLN 74,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A TO-263 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQM120N04-1M7L_GE3
od PLN 10,458*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10050LVFRG
od PLN 102,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 128 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD 0.0058 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 128 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
Infineon
IRFS3307ZTRRPBF
od PLN 4 097,432*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M19SVRG
od PLN 52,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 121 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 121 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
ISC028N04NM5ATMA1
od PLN 2,177*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 300V; 48A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M70BVRG
od PLN 54,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 125 A SOT669 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 125 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Nexperia
BUK9Y7R0-60ELX
od PLN 6,728*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 860mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10086BVRG
od PLN 75,73*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 mA SOT-223 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ...
Infineon
BSP296NH6433XTMA1
od PLN 2,541*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22LVRG
od PLN 78,96*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.