Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 120 A TO-263 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQM120N04-1M7L_GE3
od PLN 6,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 860mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10086BVFRG
od PLN 81,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 123 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.004 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 123 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystanc...
Vishay
SQJ152ELP-T1_GE3
od PLN 1,458*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6BVRG
od PLN 49,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A TO-220 80 V 0.002 Ω (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET Infineon, znane również jako tranzystory MOSFET, to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi przez...
Infineon
IPP020N08N5AKSA1
od PLN 14,072*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11LVRG
od PLN 158,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 127 A TO-247 1200 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 127 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMW120R020M1HXKSA1
od PLN 68,979*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12060LVFRG
od PLN 134,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 mA SOT-223 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ...
Infineon
BSP296NH6433XTMA1
od PLN 5 166,48*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18LVFRG
od PLN 133,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 124 A Duża puszka do bezpośredniego przetwornika FET 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 124 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = Duża puszka do bezpośredniego przetwornika FET Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRF7769L1TRPBF
od PLN 12,273*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M19BVRG
od PLN 48,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 A TO-220 80 V 0.0028 O. (1 Oferta) 
Infineon oferuje szeroką i wszechstronną ofertę urządzeń MOSFET, w tym CoolMOS, OptiMOS i sil rodziny IRFET. Zapewniają one najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zapewnić większą wydajność, gęst...
Infineon
IPP120N08S403AKSA1
od PLN 10,478*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1001RBVFRG
od PLN 61,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 127 A TO-263-7 60 V SMD 0.0037 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 127 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = NTBGS3D Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
onsemi
NTBGS3D5N06C
od PLN 8 961,96*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.