Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 128 A PowerPAK SO-8 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 128 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozsz...
Vishay
SiRA54ADP-T1-RE3
od PLN 2,633*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1001RBVRG
od PLN 55,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 122 A PG-HDSOP-16 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 122 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PG-HDSOP-16 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Liczba elementów na u...
Infineon
SP005631636
od PLN 20 168,226*
za 1 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 20A; Idm: 80A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5028BVRG
od PLN 69,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 126 A PowerPAK SO-8DC 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 126 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIDR5102EP-T1-RE3
od PLN 8,095*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22LVFRG
od PLN 89,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 120 mA SOT-223 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ...
Infineon
BSP125H6433XTMA1
od PLN 2,062*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVRG
od PLN 47,25*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 128 A TO-220F 100 V Pojedynczy 37,5 W 4,5 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 128 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220F Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
FDPF4D5N10C
od PLN 9 649,66*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10050LVRG
od PLN 110,10*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 122 A PG-TO263-3 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 122 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPB023N04NF2SATMA1
od PLN 3,104*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 22A; Idm: 88A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5024SVRG
od PLN 92,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 126 A TSDSON-8 FL 40 V SMD 0.0025 O. (1 Oferta) 
Rodziny produktów Infineon 40V i 60V oferują nie tylko najniższe w branży produkty R DS (włączone), ale także doskonałe przełączanie w zastosowaniach wymagających szybkiego przełączania. Technologi...
Infineon
BSZ025N04LSATMA1
od PLN 2,802*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 67A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M38BVRG
od PLN 52,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 121 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 121 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
ISC028N04NM5ATMA1
od PLN 4,061*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.