Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030LVFRG
od PLN 95,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 126 A PowerPAK SO-8DC 100 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 126 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIDR5102EP-T1-RE3
od PLN 6,053*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 25A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6025BVRG
od PLN 61,02*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R180C7XKSA1
od PLN 6,332*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6040BVRG
od PLN 425,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 127 A TO-263-7 60 V SMD 0.0037 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor 60V wykorzysta prąd odpływowy 127A z pojedynczym kanalem N. Charakteryzuje się niższym poziomem szumów przełączania/EMI i zminimalizowaniem strat przewodzenia.Nis...
onsemi
NTBGS3D5N06C
od PLN 16,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247-4 1200 V 0,11 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 29 amperami i 1200 woltami. Może być stosowany w zasilaczu bezprzerwaniowym, falowniku doładowania, przemysłowym napędzie silnikowym, ł...
onsemi
NTH4L080N120SC1
od PLN 24,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFR6215TRPBF
od PLN 2,615*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ025N04LSATMA1
od PLN 2,196*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8065BVFRG
od PLN 54,86*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP80R360P7XKSA1
od PLN 3,852*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8065SVRG
od PLN 55,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 128 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD 0.0058 Ω (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor MOSFET Infineon z serii HEXFET zintegrowany z pakietem typu D2PAK (TO-263).W pełni scharakteryzowana pojemność i Avalanche SOA Rozbudowana dioda obudowy DV/dt i di/dt
Infineon
IRFS3307ZTRRPBF
od PLN 7,237*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 25A; Idm: 80A; 179W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: u...
Littelfuse
LSIC1MO120E0080
od PLN 62,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A PowerPAK 8 x 8 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozs...
Vishay
SIHH250N60EF-T1GE3
od PLN 8,90*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.