Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 131 A SuperSO8 5 x 6 80 V SMD 0.0037 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 131 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
BSC037N08NS5ATMA1
od PLN 6,427*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 175W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Po...
Genesic Semiconductor
G3R160MT17D
od PLN 37,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247AC 800 V 0.304 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E jest wyposażony W ZESTAW O PRĄDZIE odpływowym 13 A i MOCY 247 AC.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i p...
Vishay
SIHG15N80AE-GE3
od PLN 8,698*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 6A; Idm: 16A; 88W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 88W Pola...
Genesic Semiconductor
G3R450MT17D
od PLN 20,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 130 A PowerPAK SO-8 80 V SMD 0.00233 Ω (2 ofert) 
Tranzystor Vishay N 80 V (D-S) MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8 o prądzie spustowym 130 A.Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Bardzo niska wartość FOM RDS-Qg Optymalizacja pod kątem najniż...
Vishay
SIR680LDP-T1-RE3
od PLN 20,98*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 187W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 187W Po...
Genesic Semiconductor
G3R160MT17J
od PLN 41,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-220AB 800 V 0.35 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = EF-Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Vishay
SIHP15N80AEF-GE3
od PLN 5,266*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 133 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 100 W 4,2 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 133 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystanc...
onsemi
NVMYS3D3N06CLTWG
od PLN 4,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 5A; Idm: 12A; 68W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC750SMA170B4
od PLN 20,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-252 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
R6013VND3TL1
od PLN 3,392*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC0501NSIATMA1
od PLN 2,472*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17D
od PLN 122,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 240A; 271,7W (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 271,7W Polaryzacja: ...
Bridgelux
BXW60M1K2J
od PLN 50,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 134 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 134 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BSC022N04LSATMA1
od PLN 3,964*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1kV; 35A; 113,5W; D2PAK-7 (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Czas gotowości: 14ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasz...
Wolfspeed
C3M0065100J
od PLN 48,16*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.