Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 603 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-263-7 1200 V SMD Pojedynczy 113,6 W 75 miliomów (2 ofert) 
Wolfspeed rozszerza swoją wiodącą pozycję w technologii SiC, wprowadzając Advanced SFC MOSFET w nowej dyskretnej obudowie o niskiej indukcyjności. Nowe pakiety umożliwiają inżynierom pełne wykorzys...
Wolfspeed
C3M0075120J
od PLN 44,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał ...
Infineon
IRF7413ZTRPBF
od PLN 1,234*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 125W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC180SMA120S
od PLN 35,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247-4 1200 V 220 m.Ω (1 Oferta) 
MOSFET Infineon CoolSiC™ 1200 V, 220 mΩ w obudowie TO247-4 wykorzystuje najnowocześniejszy proces półprzewodników do rowów zoptymalizowany pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W porówn...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
od PLN 16,792*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120B
od PLN 130,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 0,23 oma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = M6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,23...
ST Microelectronics
STD18N60M6
od PLN 4,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 323W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120B4
od PLN 91,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,5 A SOP 40 V SMD 0.0084 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
SH8KB7TB1
od PLN 6 375,30*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247-4 1200 V Pojedynczy 113,6 W 75 miliomów (2 ofert) 
Wolfspeed rozszerza swoją wiodącą pozycję w technologii SiC, wprowadzając Advanced SFC MOSFET w nowej dyskretnej obudowie o niskiej indukcyjności. Nowe pakiety umożliwiają inżynierom pełne wykorzys...
Wolfspeed
C3M0075120K
od PLN 45,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A SuperSO8 5 x 6 34 V SMD 0.009 O. (1 Oferta) 
Seria produktów OptiMOS firmy Infineon jest dostępna w pakietach o wysokiej wydajności, które zapewniają pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Te produkty firmy Infineon zostały zaprojekto...
Infineon
BSC0996NSATMA1
od PLN 1,436*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247AC 800 V SMD 0.35 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Niska wartoś...
Vishay
SIHG15N80AEF-GE3
od PLN 9,513*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 7A; Idm: 25A; 85W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEC
od PLN 32,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.25 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
onsemi
NTD250N65S3H
od PLN 5,396*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,8 A PG-TO 220 FullPAK 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PG-TO 220 FullPAK Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IPA60R280P6XKSA1
od PLN 6,937*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A ThinkPAK 8 x 8 650 V SMD 0.185 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPL60R185C7AUMA1
od PLN 7,959*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.