Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 125W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC180SMA120S
od PLN 35,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-252 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
R6013VND3TL1
od PLN 4,705*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 17A; 103W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 103W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3160KLGC11
od PLN 45,24*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 360 MO (1 Oferta) 
Superzłącze Infineon serii MOSFET CoolMOS™ P7 800V to idealne rozwiązanie do zastosowań SMPS o niskim zapotrzebowaniu na energię, w pełni zaspokajające potrzeby rynku w zakresie wydajności, łatwośc...
Infineon
IPD80R360P7ATMA1
od PLN 6,121*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R40MT12K
od PLN 59,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-220AB 800 V 0.35 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Niska wartoś...
Vishay
SIHP15N80AEF-GE3
od PLN 6,258*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 52 A TO-247 1700 V 45 m.Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 52 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Seria = IMW1 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 45 m.Ω...
Infineon
IMW120R045M1XKSA1
od PLN 46,217*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB60R180C7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPB60R180C7ATMA1
od PLN 5,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 45A; 153W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motory...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
od PLN 53,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,1 A MLPAK33 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXN6R2-25QLJ
od PLN 0,985*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247 1200 V Pojedynczy 113,6 W 75 miliomów (2 ofert) 
Wolfspeed umacnia pozycję lidera w technologii SiC, wprowadzając Advanced SiC MOSFET. Projektanci mogą zredukować liczbę elementów dzięki zastosowaniu topologii trzech poziomów opartych na krzemu d...
Wolfspeed
C3M0075120D
od PLN 44,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A HSOF-8 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPT60R040S7XTMA1
od PLN 25,873*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 222A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120S
od PLN 150,25*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A TO-247 1200 V 22 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
od PLN 18,412*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 60 A TO-247-4 1200 V 0,056 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 60 amperami i 1200 woltami. Może być stosowany w zasilaczu bezprzerwającym, przetworniku DC/DC, przemienniku mocy.Odpływ 40 mO do źródł...
onsemi
NTHL040N120SC1
od PLN 50,876*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.