Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 841 527 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 412A; 267W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 267W Polaryzacja: unipo...
onsemi
NTHL020N120SC1
od PLN 172,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,5 A SOP 40 V SMD 0.0084 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
SH8KB7TB1
od PLN 3,133*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 6A; Idm: 16A; 88W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 88W Pola...
Genesic Semiconductor
G3R450MT17D
od PLN 20,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13 A X4-DSN3519-6 30 V 0.0048 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMN3006SCA6 Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0048 O. Tryb kanałowy = Rozsze...
Diodes
DMN3006SCA6-7
od PLN 1,851*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 175W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Po...
Genesic Semiconductor
G3R160MT17D
od PLN 38,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,1 A PowerPAK 1212-8PT 100 V SMD 0.0186 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Vishay
Si7252ADP-T1-GE3
od PLN 4,049*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 187W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 187W Po...
Genesic Semiconductor
G3R160MT17J
od PLN 41,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 130 A TO-220 100 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 130 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej
Infineon
IRFS7440TRLPBF
od PLN 4,463*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 74W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Pola...
Genesic Semiconductor
G3R350MT12D
od PLN 14,76*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW60R280P6FKSA1
od PLN 201,7401*
za 30 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-263-7 1000 V SMD Pojedynczy 83 W 170 miliomów (2 ofert) 
Firma Wolfspeed przedstawia swoje najnowsze osiągnięcie w technologii urządzenia zasilającego SiC z jedynym w branży tranzystorem SiC MOSFET 1 kV umieszczonym w nowoczesnej zoptymalizowanej obudowi...
Wolfspeed
C3M0120100J
od PLN 35,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,1 A PowerPAK 1212-8PT 100 V SMD 0.0186 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Vishay
Si7252ADP-T1-GE3
od PLN 2,698*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 72 A TO-247 1700 V Pojedynczy 520 W 45 miliomów (2 ofert) 
Firma Wolfspeed wprowadza swój najnowszy przełom w technologii urządzeń zasilających SiC: Pierwszy w branży MOSFET o napięciu 1700-V 45MOhm SiC. MOSFET został zaprojektowany z myślą o obsłudze nowy...
Wolfspeed
C2M0045170D
od PLN 366,02*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 13,3 A TO-263 950 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-263 Liczba styków = 3
Infineon
SP005547014
od PLN 9,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17D
od PLN 125,29*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.