Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 130 mA SOT-23 50 V SMD Pojedynczy 225 mW 10 omów (2 ofert) 
Samochodowy Power MOSFET - idealny do zastosowań o niskim poborze mocy. -50V -130mA, 10 Ω, jednokanałowy układ logiczny SOT-23 Zgodność z procesem PPAP umożliwiająca stosowanie w motoryzacji.Zakwal...
onsemi
BVSS84LT1G
od PLN 0,211*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 56A; 320W; 115ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 115ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W...
IXYS
IXFP56N30X3
od PLN 19,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 14 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD 0.2 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IRF9530NSTRLPBF
od PLN 3,197*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -5,6A; 1,3W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4813
od PLN 0,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 17,7 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 17,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXP9R1-30QLJ
od PLN 1,089*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 72A; 390W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W Po...
IXYS
IXFQ72N30X3
od PLN 26,90*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB180P04P4-03 tranzystor 650 V (1 Oferta)
Infineon
IPB180P04P403ATMA2
od PLN 7,832*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 12A; 86W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 620mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarn...
WAYON
WMN12N80M3
od PLN 2,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 56A; 320W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 115ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W P...
IXYS
IXFA56N30X3
od PLN 19,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 14 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8
Diodes
DMP3011SPSW-13
od PLN 1,481*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 18,3 A. SO-8 30 V SMD 0.016 Ω, 0.0095 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 18,3 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET® Gen IV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja d...
Vishay
Si4425FDY-T1-GE3
od PLN 1,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 19 A D2PAK 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 19 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał ...
Infineon
IRF9Z34NSTRLPBF
od PLN 2,816*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 13A; 130W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,48Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: unipolar...
WAYON
WMM13N80M3
od PLN 3,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 14 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8
Diodes
DMP3011SPSW-13
od PLN 2 566,725*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 72A; 390W; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W...
IXYS
IXFP72N30X3
od PLN 24,29*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1061   1062   1063   1064   1065   1066   1067   1068   1069   1070   1071   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.