Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 603 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT563F Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 0,39/-0,31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 400/500mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,25W ...
onsemi
NTZD3155CT1G
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 21 A TO-247AC 100 V Pojedynczy 180 W 200 miliomów (3 ofert) 
P-Channel MOSFET, od 100V do 400V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP9140PBF
od PLN 4,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 38A; 240W; 90ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 90ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 240W ...
IXYS
IXFP38N30X3
od PLN 12,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 19,3 A SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 19,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SI4153DY-T1-GE3
od PLN 1,723*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 40/-40V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40/-40V Prąd drenu: 5/-4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45/30mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszan...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4614B
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 18 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 110 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1...
Infineon
IRFR5505TRLPBF
od PLN 2,708*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U23TR
od PLN 0,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-346T 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RTR025P02HZGTL
od PLN 0,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 210 mA UMT3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
BSS84WT106
od PLN 0,97*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 56A; 36W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 115ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W ...
IXYS
IXFP56N30X3M
od PLN 21,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 190 A SC-75 60 V SMD 8 O. (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 190 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SI1021R-T1-GE3
od PLN 0,661*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-50V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60/-50V Prąd drenu: 0,115/-0,13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/13,5Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Zastosowani...
Diodes
BSS8402DWQ-13
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 180 A D2PAK-7 40 V SMD 0.0024 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 180 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = IPB Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2
od PLN 11,076*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U26TR
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RSQ025P03HZGTR
od PLN 1,207*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1061   1062   1063   1064   1065   1066   1067   1068   1069   1070   1071   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.