Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 885 ofert spośród 5 025 759 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 16 A PowerPAK 1212 w 12 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 16 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = PowerPAK 1212 w Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQS405CENW-T1_GE3
od PLN 0,744*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -76A; 298W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTA76P10T
od PLN 14,73*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 210 mA UMT3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
BSS84WT106
od PLN 0,715*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA26P20P
od PLN 16,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4 A SOT-346T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RRR040P03HZGTL
od PLN 0,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTA18P10T
od PLN 5,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 15,3 A PowerPak SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 15,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPak SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIR1309DP-T1-GE3
od PLN 0,972*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -30V; -4,2A; Idm: -30A (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3...
Micro Commercial Components
SI3401A-TP
od PLN 1,31*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET P-kanałowy 16 A TO-252 45 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 16 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
RD3H160SPTL1
od PLN 2,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -76A; 298W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTP76P10T
od PLN 14,10*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD650P06NMATMA1
od PLN 8,61*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; 260ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 46...
IXYS
IXTH48P20P
od PLN 29,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4 A TSOP-6 20 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI3443DDV-T1-GE3
od PLN 0,344*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -210A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...
IXYS
IXTK210P10T
od PLN 85,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 150 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD 0.0061 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SUM60061EL-GE3
od PLN 15,989*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1061   1062   1063   1064   1065   1066   1067   1068   1069   1070   1071   ..   1526   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.