Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 38A; 240W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 90ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 240W Po...
IXYS
IXFA38N30X3
od PLN 13,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,4 A SOT-23 SMD 0.24 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,4 A Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.24 Ω Tryb kanałowy = Rozszer...
Diodes
DMPH6250SQ-13
od PLN 0,986*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 56A; 320W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 115ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W P...
IXYS
IXFA56N30X3
od PLN 19,61*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRLR9343TRPBF
od PLN 7,89*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5,1/-3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32/85mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Zastosowanie: bran...
Diodes
DMC3025LSDQ-13
od PLN 0,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-346T 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RTR025P02HZGTL
od PLN 1,309*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 210A; 1250W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25...
IXYS
IXFK210N30X3
od PLN 93,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 150 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD 0.0061 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SUM60061EL-GE3
od PLN 16,039*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 56A; 320W; 115ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 115ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W...
IXYS
IXFH56N30X3
od PLN 25,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1,2 W 145 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
Diodes
DMP3125L-7
od PLN 0,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 56A; 36W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 115ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W ...
IXYS
IXFP56N30X3M
od PLN 19,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 20 A WSON 20 V 2.39e+006 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = NexFET Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 2.39e+006 Ω Tryb kanałowy = Rozszerze...
Texas Instruments
CSD25310Q2
od PLN 0,952*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RSQ025P03HZGTR
od PLN 0,972*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 26A; 170W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 105ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 66mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W P...
IXYS
IXFA26N30X3
od PLN 9,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 150 A TO-220AB 80 V 0.0058 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Vishay
SUP60061EL-GE3
od PLN 10,481*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1071   1072   1073   1074   1075   1076   1077   1078   1079   1080   1081   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.