Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 72A; 390W; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W...
IXYS
IXFH72N30X3
od PLN 27,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-346T 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RTR025P02HZGTL
od PLN 0,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 72A; 390W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W Po...
IXYS
IXFQ72N30X3
od PLN 27,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 20,7 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 20,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXP6R7-30QLJ
od PLN 1,382*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 40/-40V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40/-40V Prąd drenu: 5,8/-5,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,045/0,045Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...
Diodes
DMC4050SSD-13
od PLN 1,12*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A X2-DFN2015 20 V SMD 0.054 O. (2 ofert) 
Tryb wzmocnienia P kanału DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal...
Diodes
DMP2069UFY4Q-7
od PLN 0,736*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 56A; 320W; 115ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 115ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W...
IXYS
IXFP56N30X3
od PLN 19,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 150 mA SOT-363 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-363 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BSV236SPH6327XTSA1
od PLN 0,671*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 650V; 34A; Idm: 48A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 446W...
IXYS
IXFP34N65X3
od PLN 18,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RSQ025P03HZGTR
od PLN 1,207*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 210 mA SOT 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
BSS84WAHZGT106
od PLN 1,021*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 40/-40V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252-4 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 40/-40V Prąd drenu: 12/-12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30/45...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD609
od PLN 1,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,68 A SC-70-6L 20 V SMD Pojedynczy 13,6 W 200 mΩ (2 ofert) 
Układ MOSFET zasilania TrenchFET®
Vishay
SQA401EEJ-T1_GE3
od PLN 0,733*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 72A; 390W; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W...
IXYS
IXFP72N30X3
od PLN 24,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 16 A SOP 40 V SMD 0.062 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 16 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
ROHM Semiconductor
RS3G160ATTB1
od PLN 3,678*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1071   1072   1073   1074   1075   1076   1077   1078   1079   1080   1081   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.