Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 280 A PowerPAK 8 x 8L 30 V SMD 0.0022 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 280 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = P-Channel 30 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Vishay
SQJQ131EL-T1_GE3
od PLN 9,117*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 40/-40V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40/-40V Prąd drenu: 5/-4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45/30mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszan...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4614B
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,8 A SOT-223 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
ISP12DP06NMXTSA1
od PLN 2,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 40/-40V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40/-40V Prąd drenu: 9,5/-12,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,015/0,029Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasz...
Diodes
DMC4015SSD-13
od PLN 1,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RQ6E030ATTCR
od PLN 0,995*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN3x3 EP Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5,5/-11,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7611
od PLN 1,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,5 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RSQ035P03HZGTR
od PLN 1,153*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; 228ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP36P15P
od PLN 15,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3 A SOT-346T 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RQ5C030TPTL
od PLN 0,949*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-50V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60/-50V Prąd drenu: 0,115/-0,13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/13,5Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Zastosowani...
Diodes
BSS8402DWQ-13
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,8 A TSOT-26 30 V SMD 0,3 oma (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia dwukanałowego DiodesZetex 30V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealn...
Diodes
DMP3164LVT-7
od PLN 1,238*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-50V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60/-50V Prąd drenu: 0,115/-0,13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/13,5Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpras...
Diodes
BSS8402DW-7-F
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,1 A U-DFN2020 20 V SMD 0.09 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Diodes
DMP2045UFDB-7
od PLN 0,677*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5,5/-8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,02/0,045Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszan...
Diodes
DMC3025LSD-13
od PLN 0,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,5 A TSMT-8 60 V SMD 0.91 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TSMT-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
ROHM Semiconductor
QH8JC5TCR
od PLN 1,66*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1071   1072   1073   1074   1075   1076   1077   1078   1079   1080   1081   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.