Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 250 mA TO-92 90 V 8 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 250 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 90 V Seria = VP0109 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 8 Ω ...
Microchip Technology
VP0109N3-G
od PLN 3,757*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,7A Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania:...
Infineon
IRF7504TRPBF
od PLN 0,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 21 A TO-247AC 100 V Pojedynczy 180 W 200 miliomów (3 ofert) 
P-Channel MOSFET, od 100V do 400V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP9140PBF
od PLN 4,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 19,3 A SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 19,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SI4153DY-T1-GE3
od PLN 1,723*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 210 mA UMT3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
BSS84WT106
od PLN 0,171*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 263 A SO-8FL 30 V SMD 0.0014 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 263 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
onsemi
NTMFS002P03P8ZT1G
od PLN 8 742,54*
za 1 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -25V; -0,41A; 0,3W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: -25V Prąd drenu: -0,41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Po...
onsemi
FDG6304P
od PLN 0,668*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 210 mA UMT3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
BSS84WT106
od PLN 0,98*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 6,3/-7,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,02/0,033Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszan...
Diodes
DMC2020USD-13
od PLN 1,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 190 A SC-75 60 V SMD 8 O. (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 190 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SI1021R-T1-GE3
od PLN 0,661*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-8V (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 20/-8V Prąd drenu: 0,63/-0,755A Rezystancja w stanie przewodzenia: 445/900mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasz...
onsemi
NTJD4105CT1G
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 22 A DPAK (TO-252) 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na uk...
Infineon
IPD650P06NMATMA1
od PLN 4,194*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 28 A PowerPAK SO-8 100 V SMD (3 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI7489DP-T1-GE3
od PLN 4,472*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -4,5A; Idm: -18A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 84mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SH8J62TB1
od PLN 1,62*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD650P06NMATMA1
od PLN 13,84*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1071   1072   1073   1074   1075   1076   1077   1078   1079   1080   1081   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.