| |
|
| Nr artykułu: 3MTJS-2567390 Nr producenta: SI7489DP-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| | |
| Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 28 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: IGBT, Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, MOSFET mocy, MOSFET dużej mocy, Tranzystor dużej mocy, Tranzystory dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, 2567390, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI7489DPT1GE3 |
| | |
| | | Oferty (3) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | Magazyn 3MTJS | | | | 3000 | | Dostawa bezpłatna | od PLN 4,472* | PLN 5,152* | | | | | | | | | 1 | | PLN 12,90* | od PLN 5,90* | PLN 11,54* | | | | | 4 dni | | | 5 | | PLN 16,25* | od PLN 13,23* | PLN 16,92* | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 3MTJS | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt. | Minimalna liczba zamawianych produktów: 3000 szt. ( odpowiada PLN 15 456,00* plus VAT ) |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 3MTJS | | Wysyłka: Magazyn 3MTJS | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 15,90* | | od PLN 330,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS | | | Okres czasu: | w przeciągu 21 dni | Stan opakowania: | opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń | Stan towaru: | nieużywany | Koszty przesyłki zwrotnej: | ponosi klient | Opłata manipulacyjna: | Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku. | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|