|  |
| |
| Nr artykułu:
7619-3026486-BP Nr producenta:
SI7489DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Vishay SI_DP-GE3 P MOSFET mocy SMD Dane techniczne: I(d): -28 A · Ilość kanałów: 1 · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 83 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): -100 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · R(DS) wł.: 0.047 Ω · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Temperatura pracy (maks.): 150 °C · Typ obudowy półprzewodnika: PowerPAK-SO-8 · Wykonanie: Kanał-P |
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: IGBT, Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, MOSFET mocy, MOSFET dużej mocy, Tranzystor dużej mocy, Tranzystory dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, Vishay, SI7489DP-T1-GE3 |
| | |
| | | Oferty (3) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | Dostawa bezpłatna | od PLN 4,472* | PLN 5,152* | | | | | | | | 1 | | PLN 12,90* | od PLN 5,90* | PLN 11,54* | | | | Magazyn 7619 | | | | 5 | | PLN 16,25* | od PLN 13,23* | PLN 16,92* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 7619 | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Minimalna liczba zamawianych produktów: 5 szt. ( odpowiada PLN 84,60* plus VAT ) |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 7619 | | Wysyłka: Magazyn 7619 | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 16,25* | | od PLN 333,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 7619 | | | | Anulowanie, wymiana lub zwrot tego artykułu są wykluczone. | | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|