| |
|
| Nr artykułu: 8WVXN-SI7489DP-T1-GE3 Nr producenta: SI7489DP-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| | |
| Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 53W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie Ładunek bramki: 160nC #Akcje #promocyjne: aac_202202 Rodzaj kanału: wzbogacany Napięcie bramka-źródło: ±20V Prąd drenu w impulsie: -40A |
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: IGBT, Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, Tranzystor dużej mocy, Tranzystory dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy |
| | |
| | | Oferty (3) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | Dostawa bezpłatna | od PLN 4,472* | PLN 5,122* | | | | Magazyn 8WVXN | | | | 1 | | PLN 12,90* | od PLN 5,89* | PLN 11,27* | | | | | | 4 dni | | | 5 | | PLN 16,25* | od PLN 13,27* | PLN 16,76* | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 8WVXN | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 8WVXN | | Wysyłka: Magazyn 8WVXN | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 12,90* |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 8WVXN | | | Anulowanie, wymiana lub zwrot tego artykułu są wykluczone. | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|