Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 11 A DFN2020 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IRL100HS121
od PLN 2,502*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 800 V 0.45 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = NTPF Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.45 Ω ...
onsemi
NTPF450N80S3Z
od PLN 9,764*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 280V; 21A; Idm: 84A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 280V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polary...
SHINDENGEN
P21F28HP2-5600
od PLN 3,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 5.2A, TO-220AB (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STP7NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=5.2 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło...
brak danych
STP7NK80Z
od PLN 7,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) SMD Pojedynczy 110 W 360 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 360 milioma Tryb kanałow...
ST Microelectronics
STD13N60DM2
od PLN 3,441*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 420A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670...
IXYS
IXFK420N10T
od PLN 52,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 108 A PowerPAK 1212-8S 45 V SMD 0.0041 Ω, 0.00283 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 108 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Seria = TrenchFET® Gen IV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...
Vishay
SISS50DN-T1-GE3
od PLN 1,451*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 240A; 1250W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25...
IXYS
IXFK240N15T2
od PLN 58,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 62A, ISOPLUS264 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB62N80Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=62 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=62 ns, Czas opóźnienia włączenia=54 ns, Napięcie bramka-źródł...
IXYS
IXFB62N80Q3
od PLN 128,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.4 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
ROHM Semiconductor
R6511END3TL1
od PLN 3,483*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 280V; 17A; Idm: 68A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 280V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 79W Polary...
SHINDENGEN
P17F28HP2-5600
od PLN 3,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 FP 600 V 0.125 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ CFD7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPA60R125CFD7XKSA1
od PLN 11,069*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 500V; 20A; Idm: 80A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 95W Polary...
SHINDENGEN
P20F50HP2-5600
od PLN 3,79*
za szt.
 
 szt.
Infineon SPD06N80C3 tranzystor 900 V (2 ofert)
Infineon
SPD06N80C3ATMA1
od PLN 3,235*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A PowerDI3333-8 100 V SMD 0.222 O. (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET DiodesZetex DMN10H220LFVW został zaprojektowany w celu zminimalizowania rezystancji w stanie włączenia i utrzymania najwyższej wydajności przełączania, co czyni go idealnym rozwią...
Diodes
DMN10H220LFVW-7
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   531   532   533   534   535   536   537   538   539   540   541   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.