Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 048 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 800 V 0.45 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = NTPF Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.45 Ω ...
onsemi
NTPF450N80S3Z
od PLN 5,911*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 0.0065 Ω (3 ofert) 
Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET mocy HEXFET®, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tran...
Infineon
IRF3205ZSTRLPBF
od PLN 3,084*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolarny; 600V; 40A; Idm: 252A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W Polaryzac...
ST Microelectronics
STWA68N60M6
od PLN 25,93*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFS7540TRLPBF
od PLN 3,25*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A PG-TDSON-8-5 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PG-TDSON-8-5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC024NE2LSATMA1
od PLN 1,384*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 2.5A, SOT-89 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP162A11C0PR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=2.5 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-ź...
Torex Semiconductor
XP162A11C0PR-G
od PLN 1,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 FP 600 V 0.125 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ CFD7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPA60R125CFD7XKSA1
od PLN 7,825*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 7,6A; 90W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryza...
ST Microelectronics
STW18N60DM2
od PLN 6,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 200mA, SOT-23 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP231P0201TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=100 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka...
Torex Semiconductor
XP231P0201TR-G
od PLN 0,19*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF3205ZLPBF
od PLN 3,358*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220FP 900 V 0,33 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET STMicroelectronics N 900 V, typ 280 MO, 15 A MDmesh K5 Power w obudowie TO-220FP, oparty na innowacyjnej, zastrzeżonej konstrukcji pionowej.Bardzo niski poziom naładowania bramki ...
ST Microelectronics
STF16N90K5
od PLN 12,999*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 200mA, SOT-523 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP231P02015R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=80 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-...
Torex Semiconductor
XP231P02015R-G
od PLN 0,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 0.0065 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
AUIRF3205ZSTRL
od PLN 4,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 10,7A; 30W; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 179mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polar...
ST Microelectronics
STF21N65M5
od PLN 11,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 200mA, SOT-723 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP231P02017R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=80 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-...
Torex Semiconductor
XP231P02017R-G
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   531   532   533   534   535   536   537   538   539   540   541   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.