Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 603 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -55V, -19A, D2PAK (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF9Z34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-19 A, Czas narastania=55 ns, Czas opadania=41 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-...
Infineon
IRF9Z34NSTRLPBF
od PLN 1,837*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.4 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
ROHM Semiconductor
R6511END3TL1
od PLN 3,483*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 360A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167...
IXYS
IXFX360N15T2
od PLN 87,84*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 800 V 0.45 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPP80R450P7XKSA1
od PLN 5,283*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 30A; Idm: 120A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: MTO3PV (TO247AD) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 310W Polar...
SHINDENGEN
P30W60HP2V-5100
od PLN 19,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -55V, -19A, TO-220AB (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF9Z34NPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-19 A, Czas narastania=55 ns, Czas opadania=41 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źród...
IR
IRF9Z34NPBF
od PLN 6,24*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.4 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
ROHM Semiconductor
R6511KND3TL1
od PLN 4,822*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 48A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 670mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polary...
SHINDENGEN
P12F60HP2-5600
od PLN 3,21*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB65R310CFDA tranzystor 650 V (1 Oferta)
Infineon
IPB65R310CFDAATMA1
od PLN 6 100,40*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 15A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,49Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 95W Polary...
SHINDENGEN
P15F60HP2-5600
od PLN 5,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A PG-TO263-3 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPB60R299CPAATMA1
od PLN 8,933*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPA60R125CFD7 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPA60R125CFD7XKSA1
od PLN 10,602*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 7A; Idm: 28A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,05Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 79W Polaryz...
SHINDENGEN
P7F60HP2-5600
od PLN 2,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) SMD Pojedynczy 110 W 360 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 360 milioma Tryb kanałow...
ST Microelectronics
STD13N60DM2
od PLN 8 564,40*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolarny; 600V; 3A; Idm: 12A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 52,5W Polary...
SHINDENGEN
P3F60HP2-5600
od PLN 1,71*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   531   532   533   534   535   536   537   538   539   540   541   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.