Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 603 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 420A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670...
IXYS
IXFK420N10T
od PLN 52,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 106 A D2PAK-7L 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 106 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy
onsemi
NTBG025N065SC1
od PLN 53,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 800 V 0.45 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = NTPF Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.45 Ω ...
onsemi
NTPF450N80S3Z
od PLN 9,744*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -20V, -2A, SOT-23 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=FDN340P, Ciągły prąd drenu (Id)=-2 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=43 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=8 ...
onsemi
FDN340P
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 106 A D2PAK-7L 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 106 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy
onsemi
NTBG025N065SC1
od PLN 45,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 40V; 140A; Idm: 560A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 217W P...
SHINDENGEN
P140LF4QL-5071
od PLN 2,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.000175 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
AUIRFR9024NTRL
od PLN 4,819*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 300V; 160A; 1390W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1390W...
IXYS
IXFK160N30T
od PLN 51,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -20V, -4.3A, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRLML2244TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-4.3 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=34 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-ź...
IR
IRLML2244TRPBF
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 106 A TO-247 650 V 0.018 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 106 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Infineon
IPW65R018CFD7XKSA1
od PLN 61,309*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 240A; 1250W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25...
IXYS
IXFK240N15T2
od PLN 58,63*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7314TRPBF
od PLN 3,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 FP 600 V 0.125 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ CFD7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPA60R125CFD7XKSA1
od PLN 11,039*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 360A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W ...
IXYS
IXFK360N15T2
od PLN 87,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -20V, -7.7A, SO-8 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7404TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=-7.7 A, Czas narastania=32 ns, Czas opadania=65 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=100 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-ź...
Infineon
IRF7404TRPBF
od PLN 1,232*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   531   532   533   534   535   536   537   538   539   540   541   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.