MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 532/1 525)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon BSC024NE2LS tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

BSC024NE2LSATMA1

od PLN 6 158,20*
za 5 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 26,5A; 250W (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...

ST Microelectronics

STW57N65M5-4

od PLN 45,00*
za szt.

Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Kanał N, 800V, 2.9A, TO-252 (3 ofert)

Tranzystory mocy MOSFET, seria E, Typ=SIHD2N80AE-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=2.9 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=23 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Nap...

Vishay

SIHD2N80AE-GE3

od PLN 1,521*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 11,4 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Nexperia

PXN9R0-30QLJ

od PLN 0,793*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 800V; 6A; Idm: 36A (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryza...

ST Microelectronics

STP10N80K5

od PLN 8,40*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 110 A PowerPAK SO-8 45 V SMD 0.00271 Ω, 0.00397 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Seria = TrenchFET® Gen IV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...

Vishay

SIR150DP-T1-RE3

od PLN 1,416*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 5,4A; 70W; ESD (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 5,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polary...

ST Microelectronics

STP12N65M5

od PLN 5,31*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 11 A U-DFN2020 20 V SMD 0.024 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...

Diodes

DMN29M9UFDF-7

od PLN 0,963*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220 Pojedynczy 110 W 195 mΩ (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 195 mΩ Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...

ST Microelectronics

STP26N60DM6

od PLN 7,23*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 110 A PowerPAK 1212-8SLW 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Vishay

SQS142ELNW-T1_GE3

od PLN 3 708,66*
za 3 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 11,5 A DPAK (TO-252) 250 V SMD 0.18 Ω, 0.162 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Seria = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymaln...

Vishay

SQD10950E_GE3

od PLN 2,623*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolarny; 600V; 26A; 300W; ESD (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...

ST Microelectronics

STW48N60M2-4

od PLN 20,61*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 110 A PQFN 5 x 6 100 V SMD 0.0076 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja ...

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

od PLN 7,84*
za szt.

Infineon BSZ12DN20NS3 G tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

BSZ12DN20NS3GATMA1

od PLN 2,30*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolarny; 1200V; 7,6A; 250W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 620mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...

ST Microelectronics

STW12N120K5

od PLN 22,40*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 531 532 533 534 535 536 537 538 539 540 541 .. 1525 Dalej

MOSFET (22 869 ofert spośród 5 026 304 artykułów)

"MOSFET"