 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 105 A TO-220AB 60 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 105 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li... |
ROHM Semiconductor RX3L07BBGC16 |
od PLN 6,349*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,69*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 106 A TO-247-4 700 V 0.018 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 106 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.... |
Infineon IPZA65R018CFD7XKSA1 |
od PLN 67,708*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STW21NM60ND |
od PLN 10,11*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 10.5A, TO-247 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STW12NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=10.5 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=70 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 22,04*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9 133,875*
za 2 500 szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STP11NM60FD |
od PLN 6,00*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STB11NM80T4 |
od PLN 16 403,18*
za 1 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,07*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,072*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STF24N60DM2 |
od PLN 6,94*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPTG111N20NM3FDATMA1 |
od PLN 22,133*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 1A, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STN1NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=1 A, Czas narastania=23 ns, Czas opadania=28 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źródło=30... |
|
od PLN 3,38*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STL19N60M6 |
od PLN 6,806*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 87,92*
za szt. |
|
|
