 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 90,49*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 900V, 15A, TO-247 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STW15NK90Z, Ciągły prąd drenu (Id)=15 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=135 ns, Czas opóźnienia włączenia=42 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 36,31*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1 |
od PLN 2,40*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 92,87*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSL308CH6327XTSA1 |
od PLN 0,849*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,511*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,87*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,649*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,71*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 FP 600 V 0,125 oma (2 ofert) Tranzystor MOSFET z serii Vishay EF z diodą Fast Body jest wyposażony w technologię 4. Generacji serii E. Zmniejszyła straty związane z przełączaniem i przewodnictwem.Klasa energetyczna lawiny (UIS... |
|
od PLN 8,378*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB65R310CFDAATMA1 |
od PLN 6 098,32*
za 1 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 115,36*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220 FP 600 V 0,125 oma (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = SiHA125N60EF Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
|
od PLN 8,492*
za szt. |
|
|
|
SHINDENGEN P30W60HP2V-5100 |
od PLN 19,65*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 11 A SC-59 12 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = SC-59 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 |
|
od PLN 1,078*
za szt. |
|
|
