Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 923 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT563F Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 0,39/-0,31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 400/500mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,25W ...
onsemi
NTZD3155CT1G
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,2 A U-DFN2020 20 V SMD 0.168 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dr...
Diodes
DMP2110UFDB-7
od PLN 0,736*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -60V; -3,9A; Idm: -32A; 1,2W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,2W Polar...
Diodes
DMP6050SSD-13
od PLN 1,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 250 mA TO-92 60 V 8 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 250 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = VP0106 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 8 Ω ...
Microchip Technology
VP0106N3-G
od PLN 3,277*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 3/-2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,05/0,1Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozp...
Alpha & Omega Semiconductor
AO6602G
od PLN 0,298*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,4 A SOT-23 60 V SMD 0.24 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMPH6250SQ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Diodes
DMPH6250SQ-7
od PLN 0,673*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,4 A SOIC 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2
Infineon
AUIRF7342QTR
od PLN 7,231*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -80V; -2,1A; 3,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -80V Prąd drenu: -2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 308mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unip...
onsemi
FDS8935
od PLN 3,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 250 mA TO-92 90 V 8 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 250 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 90 V Seria = VP0109 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 8 Ω ...
Microchip Technology
VP0109N3-G
od PLN 3,573*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A DFN2020 60 V SMD 2.8 Ω (1 Oferta) 
Mały sygnał ROHM MOSFET ma typ pakietu DFN1010-3W. Służy głównie do przełączania obwodów, przełącznika obciążenia strony wysokiej i sterownika przekaźnika.Wyjątkowo mała i odsłonięta podkładka odpł...
ROHM Semiconductor
UT6JC5TCR
od PLN 1,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5/-4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30/41mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasz...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4629
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 29 A SO-8 30 V SMD 0.0077 O. (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Vishay
SI4459ADY-T1-GE3
od PLN 3,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,5 A DFN2020 40 V SMD 1.22 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren...
ROHM Semiconductor
UT6JB5TCR
od PLN 1,175*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 50 A PG-TO252-3-313 40 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO252-3-313 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2
od PLN 2,158*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 263 A SO-8FL 30 V SMD 0.0014 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor N-channel power MOSFET has ultra low on state resistance. It has 226 A of drain current. It is used in power load switch and battery management.Improve system efficiency Space ...
onsemi
NTMFS002P03P8ZT1G
od PLN 7,412*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1071   1072   1073   1074   1075   1076   1077   1078   1079   1080   1081   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.