| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 8WVXN-FDG6304P Nr producenta: FDG6304P EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: -25V Prąd drenu: -0,41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Ładunek bramki: 1,5nC Technologia: PowerTrench® Rodzaj kanału: wzbogacany Napięcie bramka-źródło: ±8V |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor podwójny, Tranzystory podwójne, Tranzystor polowy, Tranzystory polowe, Tranzystor unipolarny, Tranzystory unipolarne, Tranzystor dużej mocy, Tranzystory dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, tranzystor polowy |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |