Cyfrowy tranzystor SC-70 Montaż powierzchniowy FDG6304P

Tranzystory mocy obliczeniowej dual P-Channel w trybie poprawy poziomu w polu są produkowane przy użyciu opatentowanej technologii DMOS o dużej gęstości komórek. Ten proces o bardzo dużej gęstości został specjalnie zaprojektowany, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu. To urządzenie zostało zaprojektowane specjalnie do zastosowań niskonapięciowych jako zamiennik tranzystorów bipolarnych i małych tranzystorów MOSFET.-25 V, -0,41 A w trybie ciągłym, -1,5 A w Peak. RDS(ON) = 1,1 Ω przy VGS= -4,5 V, RDS(ON) = 1,5 Ω przy VGS = -2,7 V. Bardzo niskie wymagania dotyczące napędu bramki umożliwiającej bezpośrednią pracę w obwodach 3 V (VGS(th)< 1,5 V). Źródło Zenera dla odporności ESD (> 6kV Human Body Model). Kompaktowy, zgodny ze standardem branżowym zestaw do montażu powierzchniowego SC70-6. Zastosowania Produkt ten jest przeznaczony do użytku ogólnego i nadaje się do wielu różnych zastosowań.