MOSFET P-kanałowy 210 mA SOT 60 V SMD

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2523116

Producent:
ROHM Semiconductor

Nr producenta:
BSS84WAHZGT106

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Typ kanału = P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V
Typ opakowania = SOT
Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Dalsze informacje:


Typ kanału:	P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	210 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	SOT
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy

Dalsze słowa kluczowe: 2523116, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, BSS84WAHZGT106

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1,021*

Cena obowiązuje od 75 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 25 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 25 szt.	PLN 1,857*	PLN 2,284	za szt.
od 50 szt.	PLN 1,809*	PLN 2,225	za szt.
od 100 szt.	PLN 1,33*	PLN 1,636	za szt.
od 125 szt.	PLN 1,31*	PLN 1,611	za szt.
od 250 szt.	PLN 1,214*	PLN 1,493	za szt.
od 500 szt.	PLN 1,194*	PLN 1,469	za szt.
od 1000 szt.	PLN 1,161*	PLN 1,428	za szt.
od 75000 szt.	PLN 1,021*	PLN 1,256	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.