Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 918 734 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 4,8/-5,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,045/0,055Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...
Diodes
ZXMC6A09DN8TA
od PLN 3,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 22.2 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 22.2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXP6R1-30QLJ
PLN 1,985*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W ...
IXYS
IXTQ52P10P
od PLN 16,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 200 mA X2-DFN0604-3 30 V SMD 5 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia P kanału DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal...
Diodes
DMP32D9UFO-7B
PLN 0,146*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTQ26P20P
od PLN 16,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 250 mA SOT-416FL 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 250 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-416FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
ROHM Semiconductor
RE1E002SPTCL
od PLN 0,214*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,4 A SOT-23 SMD 0.24 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,4 A Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.24 Ω Tryb kanałowy = Rozszer...
Diodes
DMPH6250SQ-13
od PLN 0,962*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 0,4/-0,28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7/4Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Zastosowanie: b...
Diodes
DMG1029SVQ-7
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 227 A SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 227 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Vishay
SIRS4301DP-T1-GE3
od PLN 10,709*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; 228ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTH36P15P
od PLN 23,27*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 21 A TO-247AC 100 V Pojedynczy 180 W 200 miliomów (3 ofert) 
P-Channel MOSFET, od 100V do 400V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP9140PBF
od PLN 4,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT48P20P
od PLN 33,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 28 A TO-252 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPD380P06NMATMA1
od PLN 4,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -2,2A; 0,96W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 184mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,96W Polaryzac...
onsemi
FDC6310P
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 2,5 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1,2 W 145 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
Diodes
DMP3125L-7
od PLN 0,229*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1061   1062   1063   1064   1065   1066   1067   1068   1069   1070   1071   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.