|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2148986 Nr producenta:
BSZ025N04LSATMA1 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Rodziny produktów Infineon 40V i 60V oferują nie tylko najniższe w branży produkty R DS (włączone), ale także doskonałe przełączanie w zastosowaniach wymagających szybkiego przełączania. Technologia cienkich płytek firmy Advanced zapewnia o 15% niższe wartości R DS (WŁ.) i o 31% niższe wartości Merit (R DS(WŁ.) x Q g) w porównaniu z urządzeniami alternatywnymi. Zapewniają one najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zapewnić większą wydajność, gęstość mocy i opłacalność.W 100% przebadany pod kątem zjawiska lawinowego Doskonała odporność termiczna Zoptymalizowane do prostowania synchronicznego Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 126 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | TSDSON-8 FL | Seria: | OptiMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0025 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2148986, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSZ025N04LSATMA1 |
| | |
| |