| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2296451 Nr producenta: NTD250N65S3H EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.25 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 13 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | SUPERFET III | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.25 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2296451, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTD250N65S3H |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |