| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2486669 Nr producenta: IMW120R020M1HXKSA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 127 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 127 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200 V | Typ opakowania: | TO-247 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2486669, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IMW120R020M1HXKSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |