 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 10 A SO-8 60 V SMD 0,021 oma (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMT616 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0... |
|
od PLN 1,247*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MIC2505YM |
od PLN 5,86*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 10 A SOT-223 700 V SMD 450 MO (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren... |
Infineon IPN70R450P7SATMA1 |
od PLN 1,742*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MIC2005-0.8YM6-TR |
od PLN 3,97*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 10 A SO-8 20 V SMD 0.0134 Ω (3 ofert) Tranzystor MOSFET mocy Infineon HEXFET ma maksymalne napięcie źródła spustu 20V w OBUDOWIE SO-8. Ma zastosowanie jako podwójny MOSFET SO-8 dla konwerterów POL w komputerach stacjonarnych, serwerach... |
|
od PLN 1,401*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MIC2025-1YM |
od PLN 2,143*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 10 A LSON-8 600 V SMD 0.19 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolGaN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
Infineon IGLD60R190D1AUMA3 |
od PLN 10,677*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MIC2075-1YM |
od PLN 2,78*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPN70R450P7SATMA1 |
od PLN 3 856,62*
za 3 000 szt. |
|
|
|
Microchip Technology MIC2545A-2YM |
od PLN 12,17*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 10 A Taśma i szpula 800 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = Taśma i szpula Typ montażu = Montaż powierzchniowy Tryb kanałowy = Rozszerzenie |
ST Microelectronics STD80N450K6 |
od PLN 9,915*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MIC2005-1.2LYM5-TR |
od PLN 3,73*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 10 A SO-8 60 V SMD 0,021 oma (2 ofert) MOSFET w trybie wzmocnienia kanału N DiodesZetex 60V, 8-pinowego został zaprojektowany w celu zminimalizowania oporu przy włączonym zasilaniu, a jednocześnie utrzymania najwyższej wydajności przełą... |
|
od PLN 0,589*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology MIC2015-0.8YM6-TR |
od PLN 3,82*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 10 A SO-8 40 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 2,395*
za szt. |
|
|
