Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 9,552*
za szt. |
| |
Transoptor; THT; Ch: 1; OUT: MOSFET; 5kV; DIP6 (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: DIP6 Czas załączania: 0,2ms Czas wyłączania: 0,2ms Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: MOSFET Napięcie izolacji: 5kV Typ optoizolatora: transoptor |
|
od PLN 4,39*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220F 650 V 0.36 Ω (1 Oferta) The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance... |
onsemi FCPF360N65S3R0L-F154 |
od PLN 5,584*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,68*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 10A, TO-220AB (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ14PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=110 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=9.3 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 1,86*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 131A, D2PAK (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1405STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=131 A, Czas narastania=190 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=130 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramk... |
|
od PLN 4,11*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A U-DFN2020 30 V SMD 0.016 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre... |
|
od PLN 2,60*
za 5 szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor QS5U16TR |
od PLN 0,68*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 135A, D2PAK (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF2805STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=135 A, Czas narastania=120 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=68 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 8,04*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,815*
za szt. |
| |
|
Qorvo (UnitedSiC) UF3C065080K4S |
od PLN 93,70*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-247N 1200 V 0.45 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró... |
ROHM Semiconductor SCT2450KEGC11 |
od PLN 25,683*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 17A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR024NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=34 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=4.9 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,059*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-247N 1200 V 0.45 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró... |
ROHM Semiconductor SCT2450KEGC11 |
od PLN 12 495,1905*
za 450 szt. |
| |
|
Qorvo (UnitedSiC) UJ3C120040K3S |
od PLN 108,72*
za szt. |
| |
|
