 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 10,5 A SOP 60 V SMD 0.0124 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
ROHM Semiconductor SH8KC7TB1 |
od PLN 4,064*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPG20N04S408ATMA1 |
od PLN 2,72*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB100N06S2L05ATMA2 |
od PLN 9,884*
za szt. |
|
|
|
Qorvo (UnitedSiC) UF3C065030K3S |
od PLN 194,52*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSZ16DN25NS3GATMA1 |
od PLN 5,453*
za szt. |
|
|
|
YANGJIE TECHNOLOGY YJQ3400A |
od PLN 0,975*
za 5 szt. |
|
|
|
Infineon IPB100N06S2L05ATMA2 |
od PLN 14,005*
za szt. |
|
|
|
YANGJIE TECHNOLOGY YJSD12N03A |
od PLN 2,20*
za 5 szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 80A, SOT-227B (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFN80N50, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=70 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=102 ns, Czas opóźnienia włączenia=61 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 197,92*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 10,6 A V-DFN3030 30 V SMD 0.011 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.... |
|
od PLN 1,463*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STS5DNF20V |
od PLN 1,00*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 100 A DO 247 1200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = DO 247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 |
|
od PLN 3 934,59*
za 30 szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor QS5U12TR |
od PLN 0,72*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB100N04S204ATMA4 |
od PLN 11,318*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,47*
za szt. |
|
|
