Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 994 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.004 Ω, 0.0052 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna ...
Vishay
SQD50034EL_GE3
od PLN 3,339*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 2,7A; 31W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 176mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDS89161
od PLN 3,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.0035 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IPD100N06S403ATMA2
od PLN 5,275*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,39A; 0,25W; SOT563 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Po...
Diodes
DMN2004VK-7
od PLN 1,72*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPA50R500CEXKSA2
od PLN 2,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...
Infineon
IRF7910TRPBF
od PLN 7 658,16*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 550V, 12A, TO-220 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STP12NM50, Ciągły prąd drenu (Id)=12 A, Czas narastania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłow...
brak danych
STP12NM50
od PLN 15,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 107 W 7,9 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
Vishay
SQD50034E_GE3
od PLN 2,533*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 4,6A; 1,5W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4936CDY-T1-GE3
od PLN 1,29*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK 20 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRLR6225TRPBF
od PLN 1,478*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 3A; 1,3W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4892
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 1.9A, SOT-223 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL014NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=7.1 ns, Czas opadania=3.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.6 ns, Napięcie bramka...
Infineon
IRFL014NTRPBF
od PLN 2,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A ECOPACK 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
ST Microelectronics
STK184N4F7AG
od PLN 4,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD 0.005 Ω, 0.0039 Ω (1 Oferta) 
Vishay SQM50034EL_GE3 to samochodowy N-kanałowy 60V (D-S) 175°C MOSFET.Układ MOSFET zasilania TrenchFET® Obudowa i niskim oporze cieplnym Rg i UIS testowane w 100 % Kwalifikacja AEC-Q101
Vishay
SQM50034EL_GE3
od PLN 2 939,016*
za 800 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 910 mA SC-88 20 V SMD 550 mW 440 miliomów (2 ofert) 
To urządzenie N-Channel Dual zostało zaprojektowane z wykorzystaniem pakietu o niewielkich rozmiarach (2x2 mm) z wiodącym procesem planowym ON Semiconductor w zakresie niewielkich rozmiarów i zwięk...
onsemi
NTJD4401NT1G
od PLN 0,358*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.