MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 506/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 100 A PG-TDSON-8 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IAUC100N08S5N031ATMA1

od PLN 13,849*
za 2 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 1,5A; 0,5W; TSOP6 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,5W Po...

Infineon

BSL214NH6327XTSA1

od PLN 0,45*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PG-TDSON-8-7 25 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PG-TDSON-8-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

BSC014NE2LSIATMA1

od PLN 2,835*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 4A; Idm: 24A; 1,6W; SOP8 (1 Oferta)

Producent: BRIDGELUX Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipo...

Bridgelux

BXT280N02B

od PLN 0,37*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK 20 V (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRLR6225TRPBF

od PLN 1,609*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 4,8A; 0,7W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,7W Polaryz...

Diodes

DMN2029USD-13

od PLN 0,53*
za szt.

Infineon BSC014NE2LSI tranzystor 75 V (1 Oferta)

Infineon

BSC014NE2LSIATMA1

od PLN 12 125,70*
za 5 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PG-TDSON-8-7 25 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PG-TDSON-8-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

BSC010NE2LSIATMA1

od PLN 3,023*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PG-TO263-3 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPB026N06NATMA1

od PLN 4,98*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

ROHM Semiconductor

RS6G100BGTB1

od PLN 2,986*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 5,2A; 0,85W; SOT26 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: ...

Diodes

DMG6968UDM-7

od PLN 0,61*
za szt.

Infineon IRFIZ44N tranzystor 30 V (4 ofert)

Infineon

IRFIZ44NPBF

od PLN 2,704*
za szt.

Infineon IPB026N06N tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

IPB026N06NATMA1

od PLN 3,851*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 75A; 300ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewod...

IXYS

FMM75-01F

od PLN 62,38*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PG-TDSON-8-7 75 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Typ opakowania = PG-TDSON-8-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

BSC036NE7NS3GATMA1

od PLN 5,975*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 501 502 503 504 505 506 507 508 509 510 511 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

"MOSFET"