MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 502/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 100 A DO 247 1200 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = DO 247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4

Wolfspeed

C3M0021120K

od PLN 117,112*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 320 mA SOT-363 60 V SMD Pojedynczy 420 mW 2 omy (2 ofert)

MOSFET N-Channel, od 60 V do 80 V, Nexperia

Nexperia

2N7002PS,115

od PLN 0,247*
za szt.

Infineon BSZ16DN25NS3 G tranzystor 250 V (1 Oferta)

Infineon

BSZ16DN25NS3GATMA1

od PLN 17,605*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 250V; 30A; Idm: 130A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 84ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodz...

IXYS

FMM50-025TF

od PLN 59,51*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 200mA, SOT-23 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138L, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2...

onsemi

BSS138L

od PLN 0,165*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 107 W 4,7 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...

Vishay

SQD40020E_GE3

od PLN 2,936*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...

IXYS

MMIX2F60N50P3

od PLN 125,14*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD 0.005 Ω, 0.0039 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna ...

Vishay

SQM50034EL_GE3

od PLN 4,679*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 8A; Idm: 50A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny ...

Vishay

SI4228DY-T1-GE3

od PLN 1,71*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 107 W 4,7 milioma (1 Oferta)

Vishay

SQR40020ER_GE3

od PLN 3,004*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 2,7A; 31W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 182mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDS89161LZ

od PLN 2,70*
za szt.

Infineon IPB100N04S2-04 tranzystor (1 Oferta)

Infineon

IPB100N04S204ATMA4

od PLN 7 961,75*
za 1 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 660mA; 270mW (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 630µΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,27W Polaryzacja: uni...

Vishay

SI1902DL-T1-GE3

od PLN 0,97*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138G, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.5 ns, Napięcie bramka-źródło=2...

onsemi

BSS138G

od PLN 0,48*
za szt.

Infineon IPD100N06S4-03 tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IPD100N06S403ATMA2

od PLN 3,719*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 501 502 503 504 505 506 507 508 509 510 511 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 032 ofert spośród 4 840 994 artykułów)

"MOSFET"