Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
MOSFET N-kanałowy 100 A ECOPACK 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzeni... |
ST Microelectronics STK184N4F7AG |
od PLN 9 304,65*
za 3 000 szt. |
| |
|
|
od PLN 2,44*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 131A, D2PAK (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1405STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=131 A, Czas narastania=190 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=130 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramk... |
|
od PLN 4,11*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RS6G100BGTB1 |
od PLN 2,519*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,31*
za 5 szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 135A, D2PAK (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF2805STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=135 A, Czas narastania=120 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=68 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 8,05*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8S 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RS6P100BHTB1 |
od PLN 9,146*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,47*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,062*
za szt. |
| |
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,7A; 0,3W (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 442mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Pola... |
|
od PLN 0,86*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 17A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR024NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=34 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=4.9 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,059*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8S 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RS6P100BHTB1 |
od PLN 5,688*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 65,67*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 100 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 |
ST Microelectronics STK130N4LF7AG |
od PLN 3,75*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,325*
za szt. |
| |
|
