|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1884923 Nr producenta:
SQM50034E_GE3 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V
Typ opakowania = D2PAK (TO-263)
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 7,5 milioma
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.5V
Minimalne napięcie progowe VGS = 2.5V
Maksymalna strata mocy = 150 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V
Maksymalna temperatura robocza = +175°Cmm
Minimalna temperatura robocza = -55°Cmm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 100 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 7,5 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 150 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 10.41mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1884923, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQM50034E_GE3 |
| | |
| |