MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8 40 V SMD

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2606156

Producent:
ROHM Semiconductor

Nr producenta:
RS6G100BGTB1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V
Typ opakowania = HSOP8
Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	100 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	40 V
Typ opakowania:	HSOP8
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy

Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2606156, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, RS6G100BGTB1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 2,519*

Cena obowiązuje od 37 500 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 5 szt.	PLN 4,646*	PLN 5,715	za szt.
od 25 szt.	PLN 4,536*	PLN 5,579	za szt.
od 50 szt.	PLN 4,014*	PLN 4,937	za szt.
od 100 szt.	PLN 3,128*	PLN 3,847	za szt.
od 250 szt.	PLN 2,953*	PLN 3,632	za szt.
od 1000 szt.	PLN 2,879*	PLN 3,541	za szt.
od 37500 szt.	PLN 2,519*	PLN 3,098	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.